型号：GP50B60PDI
　　类型：肖特基势垒二极管（SBD）
　　最大重复反向电压（VRRM）：600V
　　平均正向整流电流（IF(AV)）：50A（在TC=80°C条件下）
　　峰值正向浪涌电流（IFSM）：500A（单个半正弦波，60Hz）
　　正向导通压降（VF）：典型值1.75V（在IF=50A，TC=25°C时）
　　最大反向漏电流（IR）：≤ 1.0mA（在VR=600V，TC=25°C时）；≤ 10mA（在VR=600V，TC=150°C时）
　　反向恢复时间（trr）：< 35ns（典型值）
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +175°C
　　存储温度范围（Tstg）：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：TO-247
　　热阻（RθJC）：约0.5°C/W（典型值）

GP50B60PDI的核心优势在于其结合了高电压耐受能力和大电流承载能力，这在传统肖特基二极管中较为罕见，因为通常肖特基器件受限于较低的反向耐压。该器件通过优化的PN结设计与金属-半导体接触工艺，在保持肖特基二极管低导通压降和快速开关速度的同时，实现了600V的高耐压能力，从而扩展了其在中高压应用中的适用范围。其正向压降在满载条件下仍维持在较低水平，显著减少了导通过程中的能量损耗，提升了电源系统的整体效率。
　　该器件具备出色的热稳定性，能够在结温高达175°C的环境下持续工作，适合用于密闭或散热条件有限的高功率模块中。其TO-247封装具有较大的金属背板，便于安装散热器，有效降低热阻，提升散热效率。此外，GP50B60PDI具有优异的抗浪涌能力，可承受高达500A的瞬态浪涌电流，增强了系统在启动或异常工况下的鲁棒性。
　　在高频开关应用中，其极短的反向恢复时间（trr < 35ns）几乎消除了反向恢复电荷（Qrr）带来的开关损耗和电磁干扰（EMI），有助于简化滤波电路设计并提高系统的工作频率。这一特性使其在PFC（功率因数校正）电路、桥式整流器和续流二极管应用中表现出色。同时，低漏电流设计确保了在高温环境下的静态功耗控制，避免因漏电增加导致的热失控风险。
　　GP50B60PDI还具备良好的长期可靠性，经过严格的高温反偏（HTRB）、高温高湿反偏（H3TRB）和温度循环测试，符合工业级质量标准。其材料符合RoHS环保要求，支持无铅焊接工艺，适用于现代绿色电子产品制造。总体而言，该器件在性能、可靠性和能效之间实现了良好平衡，是高功率电源系统中的关键元件之一。

GP50B60PDI广泛应用于多种高功率电力电子系统中。首先，在开关模式电源（SMPS）中，常用于输出整流或PFC升压级的续流/整流二极管，利用其低VF和快速恢复特性提升能效。其次，在不间断电源（UPS）系统中，作为DC-DC变换器或逆变器中的整流元件，提供高效的能量转换路径。在太阳能光伏逆变器中，该器件可用于直流侧的防反二极管或MPPT电路中的整流单元，保障系统在高日照和高温环境下的稳定运行。
　　此外，GP50B60PDI也适用于电动汽车车载充电机（OBC）和充电桩的辅助电源模块，满足新能源汽车对高效率和高可靠性的需求。在工业电机驱动系统中，可作为制动单元或续流保护二极管使用，吸收电机绕组产生的反电动势，防止主开关器件损坏。在电焊机、感应加热和大功率LED驱动电源中，该器件同样发挥着关键作用，确保长时间高负载运行下的稳定性和安全性。
　　由于其高耐压和大电流能力，GP50B60PDI还可用于三相整流桥的构建，替代传统快恢复二极管，降低系统温升并提高响应速度。在数据中心服务器电源、通信基站电源等对能效和可靠性要求极高的场合，该器件有助于实现更高的功率密度和更低的运营成本。总之，凡是需要高效、高可靠整流解决方案的中高压应用场景，GP50B60PDI均是一个理想选择。

GBU5060, GBU50J, MUR5060PTG, STTH5060TV1