型号：GP20B120UD-E
　　类型：碳化硅肖特基二极管
　　最大重复峰值反向电压（VRRM）：1200V
　　平均正向整流电流（IF(AV)）：20A
　　峰值非重复浪涌电流（IFSM）：80A
　　最大正向电压（VF）：1.7V @ 20A, 25°C
　　最大反向漏电流（IR）：200μA @ 1200V, 25°C；5mA @ 1200V, 175°C
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +175°C
　　存储温度范围（TSTG）：-55°C 至 +185°C
　　热阻结到管壳（RθJC）：1.2°C/W
　　封装形式：TO-247-2L

GP20B120UD-E的核心优势在于其基于碳化硅材料的物理特性所带来的卓越电学表现。传统硅基二极管在高压应用中往往面临较高的导通损耗和明显的反向恢复现象，这不仅增加了系统的总能耗，还可能引发电磁干扰问题。而GP20B120UD-E利用碳化硅宽禁带半导体材料的高临界电场强度和高热导率，从根本上解决了这些问题。该器件在正常工作条件下不产生反向恢复电流，这意味着在高频开关过程中不会出现因载流子复合而导致的能量损耗和电压振荡，极大地提升了系统的能效与稳定性。
　　此外，GP20B120UD-E具有极低的正向导通压降，在20A电流下典型值仅为1.7V，相较于同类产品表现出更优的导通性能，进一步降低了导通损耗。即使在高温环境下，其电气参数仍能保持高度稳定，例如在175°C高温下反向漏电流仍控制在5mA以内，体现了其出色的热可靠性。这种宽温度范围的工作能力使得该器件非常适合用于密闭或散热条件受限的应用场景。
　　该器件还具备优异的抗浪涌能力，可承受高达80A的非重复浪涌电流，增强了系统在异常工况下的鲁棒性。同时，其较低的结到壳热阻（1.2°C/W）有助于快速将内部热量传导至外部散热装置，避免局部过热导致的性能衰减或失效。TO-247-2L封装不仅机械强度高，而且兼容主流功率模块的设计规范，便于用户进行PCB布局和热设计优化。总体而言，GP20B120UD-E凭借其材料优势、电气性能和结构设计，成为新一代高效电力电子系统中的关键元件。

GP20B120UD-E广泛应用于需要高效率和高可靠性的电力转换系统中。在光伏太阳能逆变器中，该器件常被用作直流侧升压电路中的续流或升压二极管，利用其无反向恢复特性有效降低开关损耗，提升逆变器整体转换效率，尤其在高日照强度和持续运行条件下表现出长期稳定性。在电动汽车领域，GP20B120UD-E可用于车载充电机（OBC）和直流快充桩的PFC（功率因数校正）电路中，帮助实现更高的功率密度和更快的充电速度。其高温工作能力也使其适合安装在发动机舱附近等高温环境中。
　　在工业电机驱动系统中，该二极管常作为IGBT模块的续流二极管使用，配合SiC MOSFET或传统IGBT构成高效的桥式拓扑结构，显著减少死区时间带来的失真，并抑制电压尖峰。在不间断电源（UPS）系统中，GP20B120UD-E可在逆变和整流模式之间平滑切换，确保负载供电连续性，同时降低系统冷却需求。此外，它也被用于服务器电源、通信电源等高端AC-DC转换器中，满足80 PLUS钛金等级以上的能效要求。
　　由于其优异的动态响应和热稳定性，GP20B120UD-E还可应用于感应加热、焊机电源、高压直流输电（HVDC）模块等特殊工业设备中。在这些应用中，系统通常运行在高频、高压和大电流条件下，对元器件的耐压能力和热管理提出极高要求。GP20B120UD-E不仅能承受严苛的工作环境，还能通过减少外围元件数量来简化系统设计，降低整体成本。因此，它是现代绿色能源和智能电网建设中不可或缺的关键功率器件之一。

C4D20120D
　　FFSH20120A
　　SDCM20120