时间:2025/10/31 14:57:21
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GP200EMTR-G1是一款由Diodes Incorporated生产的肖特基势垒二极管(Schottky Barrier Diode),采用SOD-123FL封装,专为高效率、小尺寸电源应用而设计。该器件利用先进的平面技术制造,具有低正向压降和快速开关特性,能够有效减少功率损耗并提升系统整体能效。其小型化表面贴装封装适合空间受限的便携式电子设备,例如智能手机、平板电脑、笔记本电脑以及各类电池供电设备。GP200EMTR-G1在直流-直流转换器、电源整流、反向电压保护和续流二极管等电路中表现出色。该产品符合RoHS环保标准,并通过了无卤素认证,适用于现代绿色电子产品制造。由于其优异的热性能和可靠性,该器件能够在较宽的温度范围内稳定工作,满足工业级和消费级应用的需求。此外,卷带包装形式便于自动化贴片生产,提高了大规模制造的效率。
类型:肖特基二极管
配置:单个
最大重复反向电压(VRRM):200V
最大平均正向整流电流(IO):200mA
峰值正向浪涌电流(IFSM):1.25A
最大正向电压(VF):1.25V @ 200mA
最大反向漏电流(IR):200μA @ 200V, 25°C
反向恢复时间(trr):典型值4ns
工作结温范围(TJ):-55°C 至 +150°C
封装/外壳:SOD-123FL
安装类型:表面贴装(SMD)
高度:0.95mm
引脚数:2
湿度敏感等级(MSL):1(无限)
符合标准:RoHS, 无卤素
GP200EMTR-G1的核心优势在于其低正向导通压降与高开关速度的结合,这使得它在高频开关电源中表现尤为出色。其正向压降在200mA时典型值仅为1.25V,在同类200V额定电压的肖特基二极管中处于领先水平,显著降低了导通状态下的功率损耗,有助于提高电源转换效率并减少散热需求。得益于肖特基势垒结构,该器件没有少数载流子存储效应,因此具备极短的反向恢复时间(典型值仅4ns),几乎消除了反向恢复电荷(Qrr),从而大幅减少了开关过程中的能量损耗和电磁干扰(EMI),特别适用于高频DC-DC变换器和同步整流拓扑。
该器件的200V反向耐压能力使其适用于多种中高压应用场景,如12V、24V或48V系统的反向极性保护、OR-ing电路以及电源路径管理。尽管其平均整流电流为200mA,但可承受高达1.25A的非重复浪涌电流,具备一定的瞬态过载能力,增强了系统在启动或负载突变时的鲁棒性。SOD-123FL封装体积小巧(约2.1mm x 1.3mm x 0.95mm),节省PCB空间,同时具备良好的热传导性能,有助于热量从芯片传递至PCB,延长器件寿命。
GP200EMTR-G1的工作结温范围宽达-55°C至+150°C,可在严苛的环境条件下可靠运行,适用于工业控制、汽车电子外围电路及户外设备。器件符合RoHS和无卤素要求,支持绿色环保生产。其湿气敏感等级为MSL-1,意味着在拆封后无需冷藏或限时使用,简化了生产线的物料管理流程,提升了生产灵活性和良率。此外,该器件具有稳定的电气参数和长期可靠性,经过严格的可靠性测试,包括高温反偏(HTRB)、高温存储(HTSL)和温度循环等,确保在各种应用中的稳定性。
GP200EMTR-G1广泛应用于需要高效、紧凑型整流解决方案的电子系统中。常见用途包括便携式消费类电子产品中的DC-DC升压或降压转换器,用于提高电池供电设备的能效;在USB充电电路、LDO后级保护电路中作为防反接二极管,防止电源反接损坏主控芯片;在AC-DC适配器的次级侧整流环节中作为续流或自由轮二极管,尤其适用于低输出电流的辅助电源。此外,该器件也常用于太阳能充电控制器、LED驱动电源、IoT传感器节点和无线模块的电源管理部分。
在工业领域,GP200EMTR-G1可用于PLC输入输出模块、传感器信号调理电路中的钳位和保护,以及继电器驱动电路中的反电动势抑制。其快速响应特性使其适合高频开关应用,如同步整流电路中的辅助通道。在汽车电子中,虽然不直接用于高温引擎舱,但在车载信息娱乐系统、仪表盘模块、远程无钥匙进入系统等低温区电子模块中可用于电源隔离和电压切换。此外,该器件还可用于热插拔电路、电源多路选择(Power OR-ing)以及电池备份系统中,实现电源间的无缝切换与隔离。其小型封装也使其成为可穿戴设备、TWS耳机、智能手表等对空间极为敏感的产品的理想选择。
BAS70-04W, PMEG2005EH, SB200L