时间：2025/3/25 9:44:09
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GNM212R61A225ME16D 是一款高性能的氮化镓 (GaN) 功率晶体管，采用增强型场效应晶体管 (。该器件具有高开关速度、低导通电阻和高功率密度的特点，广泛应用于高频电源转换、DC-DC转换器、逆变器和射频功率放大器等领域。其封装形式为符合行业标准的小尺寸表面贴装类型，便于在高密度电路板上集成。
这款 GaN 器件利用了先进的材料特性，在高频应用中展现出卓越的效率和性能，同时简化了热管理设计。
型号：GNM212R61A225ME16D
类型：增强型氮化镓场效应晶体管（e-mode GaN FET）
最大漏源电压：650 V
最大连续漏极电流：22 A
导通电阻（典型值）：22 mΩ
栅极电荷（典型值）：95 nC
输入电容（典型值）：1630 pF
反向恢复电荷：无（本征体二极管为零反向恢复）
工作结温范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：LFPAK88
1. 高开关频率支持：得益于氮化镓技术，该器件能够实现MHz级别的开关频率，显著减小磁性元件和电容器的体积，从而优化系统尺寸与成本。
2. 极低的导通电阻：22 mΩ 的典型导通电阻确保在大电流应用中具备出色的效率表现。
3. 快速开关动态：极低的栅极电荷和输出电荷使其在硬开关及软开关拓扑中均表现出优异的动态性能。
4. 内置零反向恢复体二极管：消除了传统硅基 MOSFET 中存在的反向恢复损耗问题，进一步提升效率。
5. 热稳定性强：能够在高达 +175°C 的结温下可靠运行，适合严苛的工作环境。
6. 小尺寸封装：采用 LFPAK88 表面贴装封装，易于自动化生产和焊接，同时也降低了寄生参数的影响。
GNM212R61A225ME16D 适用于多种高效能电力电子应用场景，包括但不限于：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器：在这些领域中，其高频操作能力和低损耗特点非常适合构建紧凑高效的电源解决方案。
2. 无线充电设备：支持更高的工作频率以满足新一代无线充电技术对快速充电的需求。
3. 太阳能微型逆变器：利用 GaN 的优势来提高能量转换效率，并缩小整体产品尺寸。
4. 数据中心服务器供电模块：为数据中心提供更高效率、更小体积的电源管理方案。
5. 汽车电子系统：例如车载充电器 (OBC) 和 DC-DC 转换器，特别适合电动车 (EV) 和混合动力汽车 (HEV) 的相关应用。
GNM212R65A180ME15D
