容量：256Kbit（32K x 8）
　　封装类型：28引脚 DIP
　　访问时间：20ns
　　工作电压：5V ± 10%
　　最大工作电流：120mA（典型值）
　　待机电流：10mA（最大）
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装尺寸：约 300 mils 宽 DIP
　　接口类型：异步，8位数据总线
　　封装材料：塑料

GN27C256GJ-20 是一款高性能、低功耗的CMOS静态RAM芯片，采用先进的CMOS工艺制造，具有高速访问能力。其访问时间为20ns，能够满足高速数据处理系统的需求。芯片支持异步读写操作，具有简单的地址和数据总线接口，便于集成到各种系统设计中。在工作电压方面，该芯片支持宽电压范围（5V ± 10%），提高了在不同电源环境下的适应性。此外，GN27C256GJ-20 在待机模式下的功耗非常低，非常适合需要节能的应用。该芯片具备较强的抗干扰能力和稳定性，适用于恶劣的工业环境。其28引脚DIP封装便于手工焊接和插拔，适用于原型开发和小批量生产应用。GN27C256GJ-20 还具备高可靠性和长使用寿命，适合用于长期运行的嵌入式系统和工业控制设备。

GN27C256GJ-20 适用于多种需要高速存储和低功耗的场合，如嵌入式控制系统、工业自动化设备、数据采集系统、网络通信模块、智能仪表和测试测量仪器等。由于其256Kbit的存储容量和快速访问时间，该芯片特别适合用于缓存临时数据、存储程序变量、缓冲通信数据等场景。在通信设备中，GN27C256GJ-20 可作为协议转换和数据交换的临时存储单元。在工业控制领域，该芯片可用于存储传感器数据、状态信息和控制参数。此外，该芯片也适用于教育和实验平台，作为学生学习SRAM工作原理和接口编程的理想器件。

AS7C256A-20PCN-SI, CY62256NLL-55SXC, IDT71V416SA20BG, HM62256BLP-20