时间：2025/8/5 6:15:42
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GN2013CCNE3 是一款由 Vishay Semiconductors 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件设计用于高效率的功率转换应用，具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能。GN2013CCNE3 采用 TO-220 封装，适用于工业控制、电源管理、DC-DC 转换器以及电机控制等应用领域。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
最大漏极电流：20A
最大漏源电压：100V
导通电阻（Rds(on)）：0.11Ω @ Vgs = 10V
栅极电荷：40nC
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-220
GN2013CCNE3 的核心特性之一是其低导通电阻（Rds(on)），这有助于减少功率损耗并提高系统效率。在高电流应用中，较低的 Rds(on) 可以显著降低导通损耗，从而减少发热并提升整体性能。
此外，该器件具有较高的最大漏极电流能力（20A），使其能够适用于高功率负载的开关控制。其最大漏源电压为 100V，适用于多种中压功率转换场景。
该 MOSFET 还具备较低的栅极电荷（Qg = 40nC），这有助于提高开关速度并降低开关损耗，适用于高频开关应用，如同步整流、DC-DC 转换器和电机驱动器。
TO-220 封装提供了良好的散热性能，确保器件在高功率操作下的稳定性和可靠性。此外，该器件的宽工作温度范围（-55°C 至 +175°C）使其适合在极端环境条件下使用，如工业设备、汽车电子系统等。
由于其高耐用性和稳定性，GN2013CCNE3 可以作为多种功率 MOSFET 的理想替代品，适用于需要高效能、高可靠性的电路设计。
GN2013CCNE3 广泛应用于各种电力电子系统中，包括但不限于开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、电机驱动器、逆变器、电池管理系统、充电控制器以及工业自动化设备中的功率开关控制。其高电流承载能力和低导通电阻也使其成为高性能电源管理系统的优选器件。
IRFZ44N, FDP20N10, STP20N10, IRLU3715
