GN2010EAINE3 时间：2025/8/5 9:46:34 阅读：31

GN2010EAINE3 是一款由 Vishay Semiconductors 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛用于需要高效率和高性能的电源管理应用。该器件采用先进的沟槽技术，提供较低的导通电阻和更高的电流承载能力，适用于如电源转换器、电机控制、负载开关和电池管理系统等领域。

参数

类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：20V
　　栅源电压（Vgs）：±12V
　　连续漏极电流（Id）：5.8A
　　导通电阻（Rds(on)）：22mΩ @ Vgs=4.5V
　　导通电阻（Rds(on)）：30mΩ @ Vgs=2.5V
　　功耗（Pd）：2W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：DFN1006
　　

特性

GN2010EAINE3 MOSFET 具备多项优异特性。首先，其低导通电阻（Rds(on)）显著减少了导通损耗，从而提高了整体系统的效率。在 Vgs=4.5V 时为 22mΩ，在 Vgs=2.5V 时为 30mΩ，使得该器件能够在低电压驱动条件下依然保持高效能。
　　其次，该器件的连续漏极电流能力为 5.8A，使其适用于中高功率应用。此外，其最大漏源电压为 20V，能够支持多种低压电源设计。
　　GN2010EAINE3 采用 DFN1006 封装，具有优良的热性能和空间利用率，适用于紧凑型设计。该封装形式还提供了更好的散热能力，确保在高负载条件下仍能稳定运行。
　　此 MOSFET 的栅源电压范围为 ±12V，确保在各种驱动条件下都能安全运行。此外，其最大功耗为 2W，进一步提升了在高负载环境下的可靠性。
　　最后，该器件的工作温度范围为 -55°C 至 +150°C，适用于各种恶劣环境条件，包括工业级和汽车级应用。

应用

GN2010EAINE3 适用于多种电源管理与功率控制应用。其低导通电阻和高电流能力使其成为 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统（BMS）以及电机控制电路的理想选择。此外，该器件还广泛用于消费类电子产品、工业自动化设备、汽车电子系统（如车载充电器和电动助力转向系统）等对效率和可靠性有较高要求的应用场景。