时间：2025/4/28 12:31:25
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GN1A4M-D-T1 是一款高性能的 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），通常用于开关电源、电机驱动和 DC-DC 转换器等应用中。该器件采用先进的制造工艺，具有较低的导通电阻和较高的开关速度，能够有效减少功率损耗并提高系统效率。
GN1A4M-D-T1 属于 N 沟道增强型 MOSFET，其封装形式为 TO-252 (DPAK)，适合表面贴装工艺，便于自动化生产和高密度设计。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：3.7A
导通电阻：40mΩ
栅极电荷：9nC
开关时间：典型值 15ns
工作结温范围：-55℃ 至 +150℃
1. 低导通电阻：GN1A4M-D-T1 的导通电阻仅为 40mΩ，可显著降低导通损耗，从而提高整体效率。
2. 快速开关性能：由于其低栅极电荷和短开关时间，该器件非常适合高频开关应用，能够在高频条件下保持高效运行。
3. 高可靠性：器件经过严格的质量控制流程，确保在各种恶劣环境下的稳定性和可靠性。
4. 小型化封装：TO-252 封装使其适用于空间受限的设计场景，同时具备良好的散热性能。
1. 开关电源：可用于 AC-DC 和 DC-DC 转换器中的功率开关。
2. 电机驱动：适合小型直流电机或步进电机的驱动电路。
3. 电池管理：用作电池保护电路中的开关元件。
4. 工业控制：适用于各种工业设备中的功率控制模块。
IRLZ44N, AO3400A
