类型：NPN 双极型晶体管
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：30V
　　最大集电极电流（IC）：100mA
　　最大功耗（PD）：200mW
　　增益带宽积（fT）：120MHz
　　电流增益（hFE）：110 @ IC=2mA, VCE=5V
　　噪声系数：1.5dB @ IC=2mA, VCE=5V
　　封装类型：SOT-23

GN1412-INE3 晶体管具备优异的高频放大性能，特别适用于射频和中频放大电路。其高增益带宽积（120MHz）使得该器件能够在高频环境下保持良好的增益稳定性。此外，该晶体管的低噪声系数（1.5dB）使其非常适合用于低噪声前置放大器应用。
　　在封装方面，GN1412-INE3 采用 SOT-23 表面贴装封装，具有较小的体积和良好的热性能，适用于高密度 PCB 设计。该器件的工作温度范围通常为 -55°C 至 +150°C，适合工业级应用环境。
　　晶体管的电流增益（hFE）在 IC=2mA 和 VCE=5V 条件下可达到 110，具有较高的放大能力。同时，其最大集电极-发射极电压为 30V，最大集电极电流为 100mA，能够满足中等功率信号放大需求。

GN1412-INE3 主要应用于射频（RF）和中频（IF）放大器电路，例如在无线通信设备、接收机前端、射频识别（RFID）模块和低噪声放大器中。由于其低噪声系数和高增益带宽特性，该晶体管也常用于音频放大器、振荡器和开关电路中。
　　在消费类电子产品中，GN1412-INE3 常见于蓝牙模块、Wi-Fi 收发器和遥控器电路中。此外，该器件也可用于测试设备、传感器信号放大器以及各种便携式电子设备中的信号处理电路。

MMBT3904, 2N3904, BFQ59, PN2222A