时间：2025/8/4 21:52:13
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GN1406-INTE3D是一款由GaN Systems推出的高功率氮化镓（Gallium Nitride, GaN）晶体管，型号为GS-065-080-1-R。这款晶体管专为高效率、高频和高功率密度的电源应用而设计，适用于诸如服务器电源、电信电源、太阳能逆变器以及电动汽车充电系统等场景。GN1406-INTE3D采用增强型（e-mode）设计，具有出色的导通和开关性能，能够在高频下运行，从而减小外部磁性元件的尺寸并提升系统效率。
类型：增强型氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）
最大漏极电流：80A
最大漏源电压：650V
导通电阻：150mΩ
栅极电荷：12nC
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装形式：双列直插式封装（DIP）
功率耗散：300W
GN1406-INTE3D具备多项卓越特性，使其在高功率应用中表现优异。首先，其采用的氮化镓技术显著降低了开关损耗，支持高频运行，从而减小了外部磁性元件的尺寸和重量，提高了整体系统效率。其次，这款晶体管的导通电阻仅为150mΩ，确保了在大电流条件下仍能保持较低的导通损耗，从而提升能效。此外，GN1406-INTE3D具有较高的耐压能力，最大漏源电压可达650V，适合中高压电源转换系统。晶体管的增强型设计意味着在正常工作状态下，器件默认处于关断状态，这有助于提高系统的安全性和可靠性。其双列直插式封装（DIP）形式不仅便于安装，还具备良好的散热性能，确保器件在高负载条件下稳定运行。另外，GN1406-INTE3D的栅极电荷仅为12nC，进一步降低了开关驱动损耗，使器件能够在高频下高效工作。最后，该晶体管的工作温度范围宽达-55°C至150°C，适用于多种复杂环境条件下的电源系统。
GN1406-INTE3D广泛应用于需要高效率、高功率密度和高频运行的电力电子系统中。典型应用包括服务器电源、电信基础设施的电源模块、太阳能逆变器、电动汽车车载充电器以及储能系统中的功率转换模块。此外，该晶体管还可用于工业自动化设备、电机驱动系统以及高频电源适配器等场景，满足现代电子设备对小型化、节能化和高性能化的需求。
GS-065-080-1-R
