类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　最大漏极电流：14A
　　最大漏源电压：60V
　　导通电阻（Rds(on)）：0.035Ω
　　栅极电压范围：10V 至 20V
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：TO-220
　　功率耗散：83W

GN1114-INE3 的主要特性之一是其低导通电阻，仅为 0.035Ω。这一特性使得器件在导通状态下的功耗显著降低，从而提高了整体系统的效率。此外，低 Rds(on) 还有助于减少发热，从而提高系统的稳定性和可靠性。
　　另一个关键特性是其高漏极电流能力，最大漏极电流可达 14A。这使得 GN1114-INE3 适用于需要较高电流的应用，例如电机驱动和电源管理。器件的漏源电压额定值为 60V，使其能够承受一定的电压波动，适用于多种电压等级的电路设计。
　　该 MOSFET 采用 TO-220 封装，这种封装形式具备良好的散热性能，适合高功率应用。同时，TO-220 封装也易于安装在散热片上，进一步提升散热效率。
　　GN1114-INE3 的栅极电压范围为 10V 至 20V，这一范围使得其能够与多种驱动电路兼容，从而提高了设计的灵活性。此外，该器件的工作温度范围为 -55°C 至 150°C，能够在极端温度条件下保持稳定工作，适用于工业和汽车电子环境。
　　该 MOSFET 的功率耗散能力为 83W，这表明其能够承受较高的功率负载，适合长时间高功率运行的应用。

GN1114-INE3 广泛应用于多种电力电子系统中。其高电流能力和低导通电阻使其成为 DC-DC 转换器和电源管理模块的理想选择。在这些应用中，该器件可以有效减少功率损耗，提高转换效率。
　　在电机控制应用中，GN1114-INE3 的高电流承载能力使其能够驱动较大的电机负载，同时其低导通电阻也有助于减少电机运行时的发热问题。这使得该器件适用于工业自动化设备、电动工具和汽车电子系统中的电机控制电路。
　　该 MOSFET 还常用于负载开关电路，例如电池管理系统和电源分配系统。其高可靠性和宽工作温度范围使其能够在恶劣环境中稳定运行，从而提高系统的整体可靠性。
　　此外，GN1114-INE3 也可用于逆变器和 UPS（不间断电源）系统中。在这些应用中，该器件的高电压和高电流能力能够满足系统对功率器件的高要求，同时其良好的散热性能也能够确保长时间运行的稳定性。
　　由于其封装形式和电气特性，该器件也适用于需要高效能和高可靠性的汽车电子系统，例如车载充电系统、车身控制模块和电动车辆的动力管理系统。

IRFZ44N, STP16NF06, FDP6N60