GN1113-INE3 时间：2025/8/5 8:15:01 阅读：27

GN1113-INE3 是一款由 GSI Technology 生产的高性能异步静态随机存取存储器（SRAM），属于高速存储器芯片的一种。它广泛应用于需要快速数据访问和高可靠性的场景，如网络设备、通信系统、工业控制设备以及嵌入式系统。GN1113-INE3 是一种 16 位异步SRAM，具有低功耗设计和高稳定性，适用于多种工业和商业应用。该芯片采用标准的TSOP封装，方便集成到各种电路设计中。

参数

容量：4Mbit
　　组织方式：256K x 16
　　电压：2.3V - 3.6V
　　访问时间：5.4ns
　　工作温度范围：工业级 (-40°C 至 +85°C)
　　封装类型：TSOP
　　引脚数：54
　　数据总线宽度：16位
　　读取电流：最大 250mA
　　待机电流：最大 10mA

特性

GN1113-INE3 SRAM芯片具备多项显著特性，首先是其高速访问能力，其访问时间仅为5.4ns，这使其非常适合需要快速数据读写的应用场景。此外，该芯片支持低电压操作，工作电压范围为2.3V至3.6V，允许在多种电源条件下稳定运行，并有助于降低整体功耗。
　　在功耗管理方面，GN1113-INE3在待机模式下仅消耗最大10mA的电流，有效延长了电池供电设备的使用时间。同时，在正常工作状态下，其最大读取电流为250mA，保持了高性能与低功耗之间的良好平衡。
　　该SRAM芯片符合工业级温度标准，工作温度范围为-40°C至+85°C，确保在极端环境下仍能保持稳定运行，适用于工业控制、通信基站等严苛环境中的应用。TSOP封装形式也使得该芯片在PCB布局上更加紧凑，提高了集成度和可靠性。
　　另外，GN1113-INE3具备优异的抗干扰能力和数据保持稳定性，支持异步操作模式，适用于多种系统架构。其256K x 16位的存储组织方式提供了512KB的有效存储空间，能够满足对中等容量高速缓存的需求。

应用

GN1113-INE3 SRAM芯片广泛应用于多个高性能和高可靠性要求的领域。在通信设备中，该芯片常用于缓存数据、临时存储高速处理信息，如路由器和交换机中的数据包缓存。在工业控制系统中，GN1113-INE3可用于实时数据采集和快速处理，确保系统响应的及时性和稳定性。
　　此外，该芯片也适用于测试测量仪器、医疗设备、嵌入式系统以及需要高速缓存的微控制器系统。由于其宽温工作范围和良好的环境适应性，GN1113-INE3也非常适合在户外或工业现场环境中使用。
　　在消费类电子产品中，该芯片可作为高速缓存或临时数据存储单元，用于提升系统性能。例如，在游戏设备或高端音频处理系统中，GN1113-INE3可用于快速加载和处理数据，提高用户体验。