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GMS34012-RA011 发布时间 时间:2025/12/28 17:12:14 查看 阅读:12

GMS34012-RA011 是一款由 GEM Semiconductor(捷捷微电)生产的电子元器件,主要应用于功率控制和电源管理领域。该器件结合了高性能与高可靠性,适用于工业控制、电源转换设备以及各类电子电力系统中。

参数

类型:功率MOSFET
  最大漏极电流:12A
  最大漏源电压:60V
  最大栅源电压:±20V
  导通电阻(Rds(on)):50mΩ @ Vgs=10V
  工作温度范围:-55°C 至 150°C
  封装形式:TO-252

特性

GMS34012-RA011 是一款具有优异性能的N沟道功率MOSFET。该器件的导通电阻较低,可有效减少功率损耗,提高整体系统的效率。此外,其最大漏极电流可达12A,使其能够在高负载条件下稳定运行。
  该MOSFET具备较高的耐压能力,最大漏源电压为60V,适用于中高功率应用场景。其栅源电压范围为±20V,具备较强的抗过压能力,提高了器件的可靠性。
  采用TO-252封装形式,GMS34012-RA011 具备良好的散热性能,能够有效降低工作温度,延长器件的使用寿命。这种封装形式也便于安装在PCB上,适用于自动化生产流程。
  在工作温度范围方面,该器件可在-55°C至150°C之间稳定工作,适应各种恶劣环境条件,如高温工业环境或低温户外应用。其广泛的工作温度范围和高可靠性设计使其成为工业控制、电源转换、电动车控制器等领域的重要器件。

应用

GMS34012-RA011 被广泛应用于多个领域,包括但不限于:工业自动化控制系统、开关电源(SMPS)、电机驱动器、电动车控制器、电池管理系统(BMS)以及LED照明驱动电路等。由于其出色的性能和稳定性,该器件也常用于各类电源管理模块和功率调节装置中。

替代型号

Si4410BDY-T1-GE3, FDS6680, IPB017N06N G, AO4407

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