GMJ325KB7106MMHP 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,采用先进的制造工艺设计,适用于高电压和大电流的应用场景。该芯片具有低导通电阻、快速开关特性和高耐压能力,能够显著提高系统的效率并降低功耗。
这款功率 MOSFET 主要用于电源管理、电机驱动、工业控制和其他需要高效能转换的领域。通过优化的结构设计,GMJ325KB7106MMHP 提供了卓越的热性能和可靠性,非常适合对稳定性要求较高的应用环境。
最大漏源电压:700V
连续漏极电流:14A
导通电阻:0.2Ω
栅极电荷:35nC
开关速度:超快
工作温度范围:-55℃ 至 150℃
GMJ325KB710
1. 高耐压能力,最大漏源电压可达 700V,适用于高压应用场景。
2. 极低的导通电阻 (0.2Ω),有助于减少传导损耗,提升系统效率。
3. 快速开关特性,具备低栅极电荷和短开关时间,适合高频应用。
4. 强大的散热性能,能够在高温环境下保持稳定运行。
5. 具备出色的抗静电能力和可靠性,适应恶劣的工作条件。
6. 符合 RoHS 标准,环保且安全。
GMJ325KB7106MMHP 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器,提供高效的功率转换。
2. 电机驱动和逆变器,用于工业自动化和家电设备。
3. 太阳能逆变器和储能系统,助力可再生能源的发展。
4. 电动工具和汽车电子,支持高性能的动力系统。
5. 各类电力保护设备,例如 UPS 和稳压电源。
该芯片凭借其优异的性能,成为许多高电压和大电流应用的理想选择。
IRF840,
STP17NF06,
FDP15N50,
IXYS40N5M,
AO3400