时间：2025/5/10 19:13:01
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GMJ316AB7225MLHT 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，专为高频率开关应用设计。该芯片具有低导通电阻、高电流承载能力和快速开关速度等特点，适用于多种电力电子设备和系统。
该器件采用先进的制造工艺，能够有效降低传导损耗并提高整体效率。其封装形式和电气特性使其成为工业电源、电机驱动器、DC-DC转换器等应用的理想选择。
型号：GMJ316AB7225MLHT
类型：N沟道功率MOSFET
最大漏源电压(Vds)：72V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：25A
导通电阻(Rds(on))：4.5mΩ
总功耗(Ptot)：250W
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-247-3L
GMJ316AB7225MLHT 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），可以显著减少传导损耗，提升整体效率。
2. 快速的开关速度，适合高频应用场合。
3. 高雪崩能量能力，增强在过载条件下的可靠性。
4. 内置静电防护功能，提高器件在实际使用中的稳定性。
5. 支持大电流操作，适用于需要高功率输出的应用场景。
6. 工作温度范围广，能够在极端环境下保持稳定性能。
7. 符合 RoHS 标准，环保且安全可靠。
GMJ316AB7225MLHT 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源(SMPS) 和 DC-DC 转换器。
2. 电机驱动器和逆变器。
3. 工业自动化设备中的功率控制模块。
4. 新能源汽车中的电池管理系统(BMS) 和动力传动系统。
5. 光伏逆变器和其他可再生能源发电系统。
6. 高效照明系统，如 LED 驱动器。
7. 任何需要高效率、高可靠性的功率管理解决方案的场景。
IRF2807,
STP25NF7,
FDP25N7,
IXFN25N70T
