时间：2025/6/16 16:38:49
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GMJ107BB7224MAHT是一款高性能的N沟道MOSFET功率晶体管，主要用于开关和放大应用。该器件采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻和高电流处理能力，适用于多种工业和消费类电子产品中的电源管理解决方案。
GMJ107BB7224MAHT以其优异的电气性能和可靠性而著称，广泛应用于电机驱动、DC-DC转换器、负载开关以及其他需要高效功率切换的应用场景。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds)：70V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
最大漏极电流(Id)：25A
导通电阻(Rds(on))：4.5mΩ
栅极电荷(Qg)：65nC
功耗(Ptot)：180W
工作温度范围(Tj)：-55℃ to +175℃
GMJ107BB7224MAHT具备以下关键特性：
1. 极低的导通电阻，有助于减少功率损耗并提高效率。
2. 高电流承载能力，能够满足大功率应用的需求。
3. 快速开关速度，降低了开关损耗。
4. 优秀的热稳定性，确保在极端温度条件下可靠运行。
5. 符合RoHS标准，环保且适合现代电子设计需求。
6. 小型化封装设计，节省PCB空间。
该器件适用于多种应用领域，包括但不限于：
1. 开关模式电源(SMPS)中的主开关元件。
2. DC-DC转换器中的同步整流和降压/升压功能。
3. 各种电机控制和驱动电路。
4. 负载开关和保护电路。
5. 工业自动化设备中的功率管理模块。
6. 消费类电子产品的电池充电管理。
IRFZ44N
STP36NF06L
FDP018N06A
