时间：2025/6/12 16:59:44
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GMC04CG751G50NT是一款高性能的MOSFET功率晶体管，广泛应用于电源管理、电机驱动和开关电源等领域。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和高切换效率的特点，能够在高频应用中提供卓越的性能。
这款MOSFET采用了N沟道增强型结构设计，具备出色的开关特性和热稳定性。其封装形式为TO-263（D2PAK），能够支持较高的电流负载，并在紧凑的空间内实现高效的功率转换。
最大漏源电压：75V
连续漏极电流：50A
导通电阻：4mΩ
栅极电荷：90nC
开关速度：快速
工作温度范围：-55℃至+175℃
1. 极低的导通电阻（Rds(on)）确保了高效的功率传输和较低的功耗。
2. 高电流承载能力使其适用于大功率应用环境。
3. 快速的开关速度有助于减少开关损耗，提高系统效率。
4. 宽泛的工作温度范围使该器件能够在极端环境下稳定运行。
5. TO-263封装设计，简化了PCB布局并增强了散热性能。
6. 内置反向二极管，降低了复杂电路设计的需求。
7. 符合RoHS标准，环保且适合现代工业需求。
1. 开关电源（SMPS）
2. DC-DC转换器
3. 电机驱动控制
4. 工业自动化设备
5. 汽车电子系统
6. 充电器及适配器
7. 照明驱动（如LED驱动）
GMC04CG751G40NT, IRFZ44N, FDP5800
