时间：2025/6/26 17:32:17
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GMC04CG750J100NT 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高电子迁移率晶体管（HEMT），专为高频、高效率功率转换应用而设计。该器件采用增强型工艺制造，具备低导通电阻和快速开关速度的特点，适用于开关电源、DC-DC 转换器以及射频功率放大器等应用场景。
此型号中的具体参数定义如下：GMC 表示 GaN 器件系列；04C 表示额定电流范围；G750 表示耐压等级为 750V；J100 表示最大输出电流约为 100A（典型值）；NT 表示封装类型为表面贴装。这款芯片以其卓越的性能表现成为新一代功率电子产品的理想选择。
额定电压：750V
额定电流：100A
导通电阻：2.5mΩ
栅极电荷：90nC
反向恢复时间：小于 20ns
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：TO-247-4L
1. 极低的导通电阻（Rds(on)）使得在高电流密度下仍然能够保持高效运行。
2. 快速开关能力确保了较低的开关损耗，在高频条件下表现出色。
3. 高击穿电压（750V）使其能够在高压环境中稳定工作，适合多种工业和汽车级应用。
4. 内置保护功能增强了系统的可靠性，例如过温保护和短路防护。
5. 封装采用强化散热设计，进一步优化热管理性能。
6. 符合 RoHS 标准，环保且易于集成到现代电路设计中。
1. 高效 DC-DC 转换器，特别适用于电动汽车充电系统。
2. 工业电机驱动和逆变器，提供高功率密度解决方案。
3. 太阳能微型逆变器和储能系统，提升能量转换效率。
4. 数据中心服务器电源模块，满足严格的能效要求。
5. 射频功率放大器，用于无线通信基础设施如 5G 基站。
6. 高频软开关拓扑结构，包括 LLC 和相移全桥转换器。
GMC04CG750J80NT
GMC04CG750J120NT
GMC04CG650J100NT
