时间：2025/5/21 9:32:02
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GMC04CG620F50NT 是一款由知名厂商推出的高集成度功率 MOSFET 芯片，主要用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动以及其他需要高效功率转换的场景。该器件采用先进的半导体制造工艺，具有低导通电阻、快速开关速度和出色的热性能。
其封装形式为 NT 封装，能够有效提升散热效率并减少寄生电感的影响。同时，它支持较高的工作电压，适用于多种工业和消费类电子产品。
型号：GMC04CG620F50NT
最大漏源电压(Vds)：650V
连续漏极电流(Id)：20A
导通电阻(Rds(on))：50mΩ
栅极电荷(Qg)：120nC
总功耗(Ptot)：200W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：NT
GMC04CG620F50NT 具备以下显著特性：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，有助于降低传导损耗，提升系统效率。
2. 快速的开关速度，可减少开关损耗并支持高频操作。
3. 高耐压能力（650V），使其适合用于高压环境下的应用。
4. 改进的热设计，确保芯片在高负载条件下也能保持稳定运行。
5. 内置保护功能（如过流保护等），提高了系统的可靠性和安全性。
6. 小型化封装设计，便于 PCB 布局和优化空间利用率。
7. 符合 RoHS 标准，环保且易于通过国际认证。
这款功率 MOSFET 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中作为主开关管或同步整流管。
2. DC-DC 转换器中的高频开关元件。
3. 电机驱动电路中的功率控制单元。
4. 工业自动化设备中的功率管理模块。
5. 太阳能逆变器及其他新能源相关产品。
6. 消费电子产品的充电器和适配器设计。
GMC04CG620F50NT 凭借其高性能指标和可靠性，成为许多工程师的理想选择。
GMC04CG620F50N, IRFP460, FDP18N65C3
