时间：2025/6/6 9:22:33
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GMC04CG561K50NT是一款高性能的功率MOSFET芯片，主要应用于高频开关电源、DC-DC转换器以及电机驱动等场景。该器件采用先进的沟槽式工艺制造，具备低导通电阻和高开关速度的特点，能够有效提升系统效率并降低能耗。同时，其优化的封装设计使其具有良好的散热性能，适用于需要高效能和稳定性的电子电路中。
型号：GMC04CG561K50NT
类型：N-Channel MOSFET
最大漏源电压：50V
最大连续漏极电流：28A
导通电阻：4mΩ（典型值）
栅极电荷：37nC（典型值）
开关时间：ton=15ns, toff=10ns（典型值）
工作结温范围：-55℃至+150℃
封装形式：TO-247
GMC04CG561K50NT具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），在25℃时仅为4mΩ，这可以极大地减少导通损耗，提升整体系统效率。
2. 高速开关性能，其典型开关时间为15ns（开通）和10ns（关断），非常适合高频应用场合。
3. 栅极电荷较低，仅为37nC，有助于降低驱动功耗。
4. 具备出色的热稳定性，能够在高温环境下长期可靠运行。
5. 强大的电流承载能力，最大连续漏极电流高达28A，可满足大功率应用需求。
6. 工作结温范围宽广，从-55℃到+150℃，适应多种恶劣环境条件。
7. 使用TO-247封装，提供卓越的散热性能，便于安装和使用。
GMC04CG561K50NT广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的主开关管或同步整流管。
2. DC-DC转换器中的功率开关元件。
3. 电机驱动电路中的功率级控制。
4. 电池保护系统中的负载开关。
5. 各种工业自动化设备中的功率控制模块。
6. LED照明驱动电路中的功率调节元件。
7. 新能源汽车及电动工具中的功率管理组件。
GMC04CG561K50N, IRF540N, FDP55N50
