GMC04CG561K50NT是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要应用于高频开关电源、DC-DC转换器以及电机驱动等场景。该器件采用先进的沟槽式工艺制造,具备低导通电阻和高开关速度的特点,能够有效提升系统效率并降低能耗。同时,其优化的封装设计使其具有良好的散热性能,适用于需要高效能和稳定性的电子电路中。
型号:GMC04CG561K50NT
类型:N-Channel MOSFET
最大漏源电压:50V
最大连续漏极电流:28A
导通电阻:4mΩ(典型值)
栅极电荷:37nC(典型值)
开关时间:ton=15ns, toff=10ns(典型值)
工作结温范围:-55℃至+150℃
封装形式:TO-247
GMC04CG561K50NT具有以下显著特性:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),在25℃时仅为4mΩ,这可以极大地减少导通损耗,提升整体系统效率。
2. 高速开关性能,其典型开关时间为15ns(开通)和10ns(关断),非常适合高频应用场合。
3. 栅极电荷较低,仅为37nC,有助于降低驱动功耗。
4. 具备出色的热稳定性,能够在高温环境下长期可靠运行。
5. 强大的电流承载能力,最大连续漏极电流高达28A,可满足大功率应用需求。
6. 工作结温范围宽广,从-55℃到+150℃,适应多种恶劣环境条件。
7. 使用TO-247封装,提供卓越的散热性能,便于安装和使用。
GMC04CG561K50NT广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
2. DC-DC转换器中的功率开关元件。
3. 电机驱动电路中的功率级控制。
4. 电池保护系统中的负载开关。
5. 各种工业自动化设备中的功率控制模块。
6. LED照明驱动电路中的功率调节元件。
7. 新能源汽车及电动工具中的功率管理组件。
GMC04CG561K50N, IRF540N, FDP55N50