GMC04CG561G50NT是一款由知名厂商生产的高性能MOSFET功率晶体管,主要应用于开关电源、电机驱动、逆变器以及各类需要高效能开关控制的电路中。该器件采用了先进的沟槽式技术制造,具有低导通电阻和快速开关速度的特点,能够显著提高系统效率并降低能耗。
其封装形式为TO-263(DPAK),具备出色的散热性能,适合在高功率密度应用中使用。此外,该器件还支持较高的工作电压,可确保在恶劣环境下的可靠运行。
最大漏源电压:60V
最大栅源电压:±20V
连续漏极电流:50A
导通电阻(典型值):4mΩ
栅极电荷:70nC
开关时间:开启时间10ns,关断时间25ns
工作温度范围:-55℃至175℃
GMC04CG561G50NT具有以下显著特性:
1. 极低的导通电阻,有助于减少导通损耗,提高整体效率。
2. 快速开关能力,使其非常适合高频应用,同时减少了开关损耗。
3. 高电流承载能力,满足大功率应用需求。
4. 较宽的工作温度范围,保证了其在极端环境下的稳定性和可靠性。
5. 封装紧凑且散热性能优越,便于PCB布局和散热设计。
这款MOSFET广泛应用于各种领域,包括但不限于:
1. 开关电源中的主开关或同步整流元件。
2. 电动工具和家用电器的电机驱动电路。
3. 太阳能逆变器和不间断电源(UPS)系统。
4. 工业自动化设备中的功率转换模块。
5. 汽车电子系统,如DC-DC转换器和LED驱动电路。
GMC04CG561G50NT凭借其卓越的性能表现,在这些应用场景中提供高效的功率管理解决方案。
GMC04CG561G40NT, IRF540N, FDP5580