GMC04CG561G100NT 是一款由东芝(Toshiba)制造的功率 MOSFET 芯片,属于 UMOS IX 系列。该系列器件以其低导通电阻、高效率和卓越的开关性能著称,广泛应用于各种需要高效能功率转换的场景。此型号采用 TO-263-3 封装形式,适合表面贴装技术(SMT),具备出色的热特性和电气特性。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:100A
导通电阻:1.3mΩ
栅极电荷:100nC
开关时间:开通时间 28ns,关断时间 27ns
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
GMC04CG561G100NT 的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),仅为 1.3mΩ,可显著降低传导损耗。
2. 高额定电流能力,支持高达 100A 的连续漏极电流。
3. 快速开关性能,具有较小的栅极电荷和短开关时间,有助于提高效率。
4. 宽广的工作温度范围,从 -55℃ 到 +175℃,确保在极端环境下的可靠性。
5. 表面贴装封装设计,便于自动化生产和高密度电路板布局。
6. 符合 RoHS 标准,环保且满足现代工业要求。
该芯片适用于多种高功率应用领域,例如:
1. 工业电机驱动器中的功率级开关。
2. 开关模式电源(SMPS)中的主开关或同步整流元件。
3. 太阳能逆变器内的功率转换模块。
4. 电动汽车(EV)和混合动力汽车(HEV)中的 DC-DC 转换器。
5. 不间断电源(UPS)系统中的关键功率元件。
6. 各种大功率负载的开关控制,如焊接设备和加热装置。
GMC04DG561G100NT, IRFB4110TRPBF, FDP158N06L