时间：2025/5/15 11:50:30
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GMC04CG511G50NT 是一款由知名半导体厂商生产的功率MOSFET芯片，主要用于开关电源、DC-DC转换器和电机驱动等高效率功率转换场景。该型号属于沟道增强型MOSFET，具有低导通电阻和快速开关速度的特性，能够显著提高系统能效并降低发热。
类型：N沟道 MOSFET
最大漏源电压(Vds)：50V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：60A
导通电阻(Rds(on))：1.3mΩ（典型值，@ Vgs=10V）
总栅极电荷(Qg)：120nC
输入电容(Ciss)：3800pF
输出电容(Coss)：170pF
反向传输电容(Crss)：38pF
开关时间：开启延迟时间(td(on))=45ns，关断传播时间(td(off))=29ns
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
GMC04CG511G50NT采用了先进的制程技术，具备以下显著特点：
1. 极低的导通电阻，能够有效减少功率损耗。
2. 快速开关性能，适合高频应用场合。
3. 高雪崩能量能力，增强了器件在异常条件下的可靠性。
4. 小尺寸封装设计，有助于节省PCB空间。
5. 优异的热稳定性，能够在极端温度环境下保持性能一致性。
6. 符合RoHS标准，环保且满足国际法规要求。
这款功率MOSFET广泛应用于各种高效能需求的电子设备中，包括但不限于以下领域：
1. 开关电源(SMPS)，如适配器和充电器。
2. DC-DC转换器，用于汽车电子和工业控制。
3. 电机驱动电路，特别是高性能无刷直流电机(BLDC)。
4. 电池管理系统(BMS)，适用于电动汽车(EV)和储能系统。
5. 可再生能源逆变器，例如太阳能微逆变器。
6. 各类负载开关和保护电路。
GMC04CG511G50NTL, IRF540N, FDP55N50E
