时间：2025/6/26 17:31:42
阅读：13
GMC04CG510J100NT 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效率功率晶体管，属于 GaN Systems 公司推出的增强型 GaN 功率晶体管系列。该器件采用 Cascode 拓扑结构设计，通过将硅 MOSFET 和 GaN HEMT 集成在一起，实现了低栅极电荷、低开关损耗和高频率操作能力。
这种设计使得 GMC04CG510J100NT 在高频电源转换应用中表现出色，例如服务器电源、工业电源、通信设备和可再生能源系统中的 DC-DC 转换器等。
型号：GMC04CG510J100NT
类型：Cascode GaN 功率晶体管
封装：TO-247-3L
VDS（漏源电压）：650 V
RDS(on)（导通电阻）：100 mΩ
Qg（栅极电荷）：9 nC
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
fsw（最大开关频率）：5 MHz
结温：175°C
GMC04CG510J100NT 的主要特性包括：
1. 高效的 Cascode 设计，允许使用标准的栅极驱动电路来控制器件。
2. 极低的 RDS(on)，有助于降低传导损耗。
3. 小巧的 Qg 值确保了低开关损耗，从而支持高频操作。
4. 良好的热性能，能够承受高达 175°C 的结温。
5. 宽禁带半导体材料（GaN）带来的更高能效和更小尺寸解决方案。
6. 符合 RoHS 标准，适用于多种绿色能源和工业应用领域。
该器件广泛应用于需要高效能量转换和小型化的场景，例如：
1. 高频 DC-DC 转换器。
2. 开关模式电源 (SMPS)。
3. 数据中心和服务器电源供应单元。
4. 太阳能逆变器和其他可再生能源相关设备。
5. 工业电机驱动和电信基础设施中的功率转换模块。
GMC04CG510J100NT 的高频性能和低损耗使其成为这些应用的理想选择。
GMC04CG510J150NT
GMC04CG650J100NT
