时间：2025/6/12 17:08:48
阅读：4
GMC04CG4R0C25NT 是一种基于氮化镓 (GaN) 技术的高电子迁移率晶体管 (HEMT)，专为高频、高效率和高功率密度应用设计。该型号属于 GaN Systems 的产品系列，适用于电源转换、DC-DC 转换器、逆变器和其他需要快速开关和低损耗的场景。
这种晶体管采用了增强型结构 (e-mode)，在正常工作条件下默认关闭，仅当栅极施加正电压时导通。它具有非常低的导通电阻和出色的热性能，使其成为传统硅基 MOSFET 的理想替代方案。
额定电压：650V
额定电流：17A
导通电阻：40mΩ
栅极阈值电压：1.3V - 3.6V
最大工作结温：175°C
封装类型：LLGA-8
GMC04CG4R0C25NT 具备以下显著特点：
1. 高效开关能力：由于其极低的开关损耗和导通电阻，适合高频率操作。
2. 增强型设计：确保在没有驱动信号时保持关断状态，提高了系统的安全性和可靠性。
3. 热性能卓越：得益于 GaN 材料的高导热性，能够在高温环境下长期稳定运行。
4. 小尺寸封装：LLGA-8 封装形式减少了寄生电感，提升了整体系统性能。
5. 广泛的工作范围：能够承受高达 650V 的电压，并支持 17A 的连续电流输出。
该晶体管广泛应用于各种高效能电力电子设备中，包括但不限于：
1. 数据中心和服务器的电源模块。
2. 电动汽车 (EV) 和混合动力汽车 (HEV) 的车载充电器及电机驱动器。
3. 太阳能逆变器和储能系统。
4. 工业自动化设备中的 DC-DC 转换器。
5. 消费类快充适配器和无线充电装置。
GMC04CG4R0C25LT, GMC04DG4R0C25NT
