时间：2025/5/20 16:52:19
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GMC04CG3R3D50NT 是一款基于氮化镓（GaN）技术的功率晶体管，专为高频、高效能应用场景设计。该器件采用了先进的 GaN 工艺，能够提供卓越的开关性能和较低的导通电阻，非常适合用于电源转换器、DC-DC 转换器、无线充电模块以及其他高效率电力电子设备。
这款芯片在封装上使用了增强散热性能的设计，确保其能够在较高的工作温度下保持稳定运行。同时，它还具备低栅极电荷和快速开关速度的特点，有助于减少开关损耗并提高整体系统效率。
型号：GMC04CG3R3D50NT
类型：增强型氮化镓场效应晶体管 (eGaN FET)
最大漏源电压：600 V
最大连续漏电流：4 A
导通电阻（典型值）：35 mΩ
栅极电荷：7 nC
输入电容：1200 pF
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：TO-277A
GMC04CG3R3D50NT 具有以下显著特点：
1. 高效的氮化镓技术，使其能够在高频条件下维持低功耗。
2. 极低的导通电阻（Rds(on)），减少了传导损耗，提高了系统效率。
3. 快速开关速度和低栅极电荷设计，有效降低开关损耗。
4. 高击穿电压（600V）确保了器件在高压环境下的可靠性和稳定性。
5. 支持宽广的工作温度范围，适应各种恶劣条件下的应用需求。
6. 紧凑型封装设计，节省 PCB 空间，同时具备良好的散热能力。
该芯片广泛应用于多个领域，包括但不限于：
1. 开关电源（SMPS）和 AC-DC 转换器中的主功率开关。
2. DC-DC 转换器及同步整流电路。
3. 太阳能逆变器中的高频切换组件。
4. 快速充电适配器和无线充电发射端。
5. 电机驱动控制电路以及工业自动化相关设备。
6. LED 照明系统的恒流驱动方案。
GMC04CG3R3D50NS, GMC04CG3R3D50NF
