时间：2025/7/11 17:45:16
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GMC04CG361G50NT是一款高性能的MOSFET功率晶体制造。该器件适用于高效率开关电源、DC-DC转换器和电机驱动等应用领域。其优化的设计能够显著降低导通电阻和开关损耗，从而提高系统的整体性能和可靠性。
该型号具备极低的导通电阻特性，在高频开关条件下表现出色。同时，它还具有良好的热稳定性和抗静电能力（ESD），非常适合需要高效能和高可靠性的应用场景。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：4.3A
导通电阻：0.28Ω
栅极电荷：45nC
输入电容：1250pF
反向恢复时间：90ns
工作结温范围：-55℃至+150℃
1. 极低的导通电阻设计，有助于减少传导损耗。
2. 高速开关性能，适合高频电路应用。
3. 良好的热稳定性，确保在高温环境下依然保持稳定运行。
4. 内置保护功能，包括过流保护和短路耐受能力。
5. 小型封装设计，节省PCB空间，便于紧凑型设计。
6. 符合RoHS标准，绿色环保，无铅焊接工艺兼容。
1. 开关电源（SMPS）
2. DC-DC转换器
3. 电机驱动与控制
4. LED照明驱动电路
5. 工业自动化设备中的功率管理模块
6. 电池管理系统（BMS）中的充放电控制
7. 汽车电子系统中的辅助电源单元
GMC04CG361G50NTR,
GMC04CG361G50NTL,
IRFZ44N,
FDP5800
