时间：2025/5/13 12:07:09
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GMC04CG360G50NT 是一款高性能的功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要应用于开关电源、电机驱动、逆变器等需要高效功率转换的场景。该器件采用先进的制造工艺，具备低导通电阻和快速开关特性，能够有效降低功耗并提高系统效率。
该芯片属于沟道型 MOSFET，具有高耐压能力以及出色的热性能表现，使其能够在严苛的工作条件下保持稳定运行。
最大漏源电压：600V
连续漏极电流：12A
导通电阻：0.18Ω
栅极电荷：75nC
输入电容：1250pF
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
GMC04CG360G50NT 具有以下显著特性：
1. 高击穿电压，能够承受高达 600V 的漏源电压，适用于高压环境下的应用。
2. 极低的导通电阻 (Rds(on))，仅为 0.18Ω，可显著减少导通损耗。
3. 快速开关速度，优化了动态性能，从而降低了开关损耗。
4. 内置反向恢复二极管，有助于提高系统的整体效率。
5. 出色的热稳定性，确保在高温环境下长期可靠运行。
6. 符合 RoHS 标准，环保无铅设计。
该功率 MOSFET 广泛用于各种电力电子设备中，典型应用包括：
1. 开关模式电源 (SMPS)。
2. 电动工具及家用电器中的电机驱动。
3. 太阳能逆变器和 UPS 系统。
4. 汽车电子设备中的 DC/DC 转换器。
5. 工业控制领域中的高频功率转换模块。
GMC04CG360G50NT 的高耐压能力和低损耗特性，使其成为这些应用的理想选择。
GMC04CG360G50NTR, IRF840, STP12NK60Z
