GMC04CG331F100NT 是一款高性能的 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)功率器件,主要应用于开关电源、电机驱动和 DC-DC 转换器等领域。该芯片采用先进的制造工艺,具备低导通电阻、高开关速度和出色的热性能,能够显著提高系统的效率和可靠性。
这款器件适用于需要高效能量转换和低损耗的场景,其封装形式紧凑,适合空间受限的设计环境。
型号:GMC04CG331F100NT
类型:MOSFET
最大漏源电压(Vds):100V
最大栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):40A
导通电阻(Rds(on)):3.5mΩ(典型值,在 Vgs=10V 时)
栅极电荷(Qg):70nC(典型值)
开关时间:ton=18ns,toff=45ns(典型值)
工作温度范围:-55°C 至 +175°C
封装形式:TO-247-3
GMC04CG331F100NT 的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),能够在高电流应用中减少传导损耗。
2. 高速开关能力,具有较小的栅极电荷和快速的开关时间,适合高频应用。
3. 出色的热稳定性,确保在高温环境下依然保持高效的性能。
4. 强大的短路耐受能力,增强系统可靠性。
5. 符合 RoHS 标准,环保设计。
6. 紧凑型封装设计,便于安装并节省电路板空间。
这些特性使 GMC04CG331F100NT 成为高效率功率转换的理想选择。
GMC04CG331F100NT 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS),如 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
2. 工业电机驱动和控制。
3. 太阳能逆变器和储能系统。
4. 电动车(EV)及混合动力车(HEV)中的电力电子模块。
5. 不间断电源(UPS)和电池管理系统(BMS)。
6. 各种工业自动化设备中的功率管理部分。
凭借其优异的性能和可靠性,这款器件能够满足现代电力电子设备对高效能和稳定性的需求。
GMC04CG332F100NT, IRFZ44N, FDP55N10