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GMC04CG331F100NT 发布时间 时间:2025/7/3 10:18:18 查看 阅读:3

GMC04CG331F100NT 是一款高性能的 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)功率器件,主要应用于开关电源、电机驱动和 DC-DC 转换器等领域。该芯片采用先进的制造工艺,具备低导通电阻、高开关速度和出色的热性能,能够显著提高系统的效率和可靠性。
  这款器件适用于需要高效能量转换和低损耗的场景,其封装形式紧凑,适合空间受限的设计环境。

参数

型号:GMC04CG331F100NT
  类型:MOSFET
  最大漏源电压(Vds):100V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):40A
  导通电阻(Rds(on)):3.5mΩ(典型值,在 Vgs=10V 时)
  栅极电荷(Qg):70nC(典型值)
  开关时间:ton=18ns,toff=45ns(典型值)
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C
  封装形式:TO-247-3

特性

GMC04CG331F100NT 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),能够在高电流应用中减少传导损耗。
  2. 高速开关能力,具有较小的栅极电荷和快速的开关时间,适合高频应用。
  3. 出色的热稳定性,确保在高温环境下依然保持高效的性能。
  4. 强大的短路耐受能力,增强系统可靠性。
  5. 符合 RoHS 标准,环保设计。
  6. 紧凑型封装设计,便于安装并节省电路板空间。
  这些特性使 GMC04CG331F100NT 成为高效率功率转换的理想选择。

应用

GMC04CG331F100NT 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS),如 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
  2. 工业电机驱动和控制。
  3. 太阳能逆变器和储能系统。
  4. 电动车(EV)及混合动力车(HEV)中的电力电子模块。
  5. 不间断电源(UPS)和电池管理系统(BMS)。
  6. 各种工业自动化设备中的功率管理部分。
  凭借其优异的性能和可靠性,这款器件能够满足现代电力电子设备对高效能和稳定性的需求。

替代型号

GMC04CG332F100NT, IRFZ44N, FDP55N10