GMC04CG300J100NT是一款基于氮化镓(GaN)技术的高效率功率晶体管,适用于高频开关电源、DC-DC转换器和无线充电等应用。该器件采用增强型常闭模式设计,具有低导通电阻和快速开关特性,能够在高频工作条件下实现高能效和小尺寸解决方案。
此型号属于GaN Systems公司的GMC系列,专注于工业级和消费电子市场,提供卓越的热性能和电气稳定性。
最大漏源电压:600V
连续漏极电流:8A
导通电阻:120mΩ
栅极电荷:35nC
输入电容:1200pF
反向传输电容:280pF
开关频率:高达5MHz
结温范围:-40℃至+150℃
GMC04CG300J100NT采用GaN HEMT技术,具备以下特点:
1. 高击穿电压和低导通电阻,能够有效降低传导损耗。
2. 极快的开关速度和较低的开关损耗,适合高频应用。
3. 增强型结构确保了安全的操作模式,无需额外的负栅驱动电路。
4. 封装形式为芯片级封装(CSP),减少了寄生电感和热阻,提高了整体系统性能。
5. 通过优化的热管理和电气设计,能够支持高密度功率转换应用。
6. 符合RoHS标准,环保且可靠。
该器件广泛应用于各种高效能功率转换场景,包括但不限于:
1. 开关电源(SMPS)中的PFC(功率因数校正)级和主开关级。
2. DC-DC转换器,特别是在隔离式和非隔离式设计中。
3. 无线充电发射端及接收端的功率放大模块。
4. 快速充电适配器,支持USB-PD协议。
5. 工业电机驱动和可再生能源逆变器中的高频逆变级。
6. 激光雷达(LiDAR)和其他需要脉冲功率的设备。
GMC04CG300J150NT
GMC04CG300J200NT
GMC04CG300J300NT