时间：2025/6/16 16:31:33
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GMC04CG221J25NT 是一款高性能的功率MOSFET芯片，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器和电机驱动等领域。该芯片具有低导通电阻、高击穿电压以及快速开关速度的特点，适用于需要高效能和高可靠性的电路设计。
这款器件采用先进的制造工艺，确保其在各种工作条件下的稳定性和耐用性。此外，其封装形式紧凑，便于在空间受限的应用中使用。
型号：GMC04CG221J25NT
类型：N-Channel MOSFET
最大漏源电压(Vds)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：30A
导通电阻(Rds(on))：2.5mΩ（典型值）@Vgs=10V
总功耗(Ptot)：280W
结温范围(Tj)：-55℃至+175℃
封装形式：TO-247
GMC04CG221J25NT具备以下关键特性：
1. 极低的导通电阻Rds(on)，有助于降低导通损耗，提升系统效率。
2. 高速开关性能，能够有效减少开关损耗。
3. 具备出色的热稳定性，在高功率应用中表现出色。
4. 内置防静电保护功能，增强器件可靠性。
5. 符合RoHS标准，绿色环保。
6. 可靠的电气性能和机械强度，适合多种工业级应用环境。
该芯片主要应用于以下领域：
1. 开关电源(SMPS)及适配器设计。
2. DC-DC转换器和降压/升压模块。
3. 电动工具和家用电器中的电机驱动控制。
4. 工业自动化设备中的功率管理模块。
5. 电池管理系统(BMS)中的充放电控制。
6. 太阳能逆变器和其他可再生能源相关应用。
GMC04CG221J25NTL
GMC04CG221J25NTH
IRF2807Z
FDP17N60C
