时间：2025/6/27 16:58:26
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GMC04CG221F50NT 是一款由知名制造商推出的高性能功率MOSFET芯片，主要用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等场景。该器件采用先进的制造工艺，在导通电阻、开关速度和热性能方面表现优异，能够显著提高系统的效率和可靠性。
该芯片具有高击穿电压、低导通电阻的特点，适合需要高效能和高稳定性的应用环境。
类型：N沟道 MOSFET
封装：TO-263 (D2PAK)
漏源极击穿电压：50V
最大漏极电流：70A
导通电阻（典型值）：2.2mΩ
栅极电荷：95nC
连续工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
总功耗：220W
1. 高效的功率转换能力，导通电阻低至2.2mΩ，减少了传导损耗。
2. 快速开关特性，支持高频应用场景，栅极电荷仅95nC。
3. 提供强大的过流保护和热保护功能，增强了系统稳定性。
4. 支持宽泛的工作温度范围，适用于工业和汽车级应用。
5. 大电流承载能力，额定漏极电流高达70A，满足大功率需求。
6. 紧凑型封装设计，便于PCB布局和散热管理。
1. 开关电源(SMPS) 和 DC-DC 转换器
2. 电机驱动及控制
3. 工业自动化设备中的功率管理模块
4. 汽车电子系统，如电池管理系统(BMS) 和车载充电器
5. LED驱动电路
6. 可再生能源领域中的逆变器和功率调节系统
IRF540N
STP70NF50
FDP75N50A
