GMC04CG221F50NT 是一款由知名制造商推出的高性能功率MOSFET芯片,主要用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等场景。该器件采用先进的制造工艺,在导通电阻、开关速度和热性能方面表现优异,能够显著提高系统的效率和可靠性。
该芯片具有高击穿电压、低导通电阻的特点,适合需要高效能和高稳定性的应用环境。
类型:N沟道 MOSFET
封装:TO-263 (D2PAK)
漏源极击穿电压:50V
最大漏极电流:70A
导通电阻(典型值):2.2mΩ
栅极电荷:95nC
连续工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
总功耗:220W
1. 高效的功率转换能力,导通电阻低至2.2mΩ,减少了传导损耗。
2. 快速开关特性,支持高频应用场景,栅极电荷仅95nC。
3. 提供强大的过流保护和热保护功能,增强了系统稳定性。
4. 支持宽泛的工作温度范围,适用于工业和汽车级应用。
5. 大电流承载能力,额定漏极电流高达70A,满足大功率需求。
6. 紧凑型封装设计,便于PCB布局和散热管理。
1. 开关电源(SMPS) 和 DC-DC 转换器
2. 电机驱动及控制
3. 工业自动化设备中的功率管理模块
4. 汽车电子系统,如电池管理系统(BMS) 和车载充电器
5. LED驱动电路
6. 可再生能源领域中的逆变器和功率调节系统
IRF540N
STP70NF50
FDP75N50A