时间：2025/5/12 21:22:16
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GMC04CG200G50NT 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，属于沟道增强型场效应晶体管。它被广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等场景中。该芯片具有低导通电阻、高效率和快速开关速度的特点，适用于需要高效能和稳定性的电力电子设备。
这款器件采用先进的制造工艺，在保证性能的同时，也提升了可靠性和耐用性。其封装形式适合表面贴装技术（SMT），便于自动化生产和组装，从而降低了制造成本并提高了生产效率。
最大漏源电压：100V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：20A
导通电阻：4mΩ
总栅极电荷：50nC
输入电容：1200pF
工作温度范围：-55℃ 至 175℃
封装类型：TO-263
GMC04CG200G50NT 的主要特点是低导通电阻和快速开关性能。通过降低导通电阻，可以减少功率损耗，提高整体效率。此外，该器件的栅极电荷较低，这有助于在高频应用中减少开关损耗。
它的高耐压能力使得它能够承受更高的瞬态电压冲击，而宽广的工作温度范围则确保了其在极端环境下的稳定性。同时，由于采用了表面贴装封装，这款芯片非常适合用于对空间要求严格的现代电子设备。
另外，该芯片还具备出色的热性能表现，这使其能够在高负载条件下长期稳定运行。这些特点共同决定了 GMC04CG200G50NT 在工业控制、汽车电子以及消费类电子产品中的广泛应用。
GMC04CG200G50NT 常用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 中作为主开关元件；
2. DC-DC 转换器中的同步整流或降压/升压电路；
3. 电机驱动控制器中的功率级部分；
4. 工业逆变器及 UPS 系统中的功率输出模块；
5. 汽车电子系统中的各种负载切换和保护电路；
6. 其他需要高效功率转换的应用场景。
IRF2807ZPBF, FDP057AN, STP200N10F7
