时间：2025/5/12 21:21:17
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GMC04CG180J25NT 是一款由知名制造商推出的功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件主要应用于高效率的开关电源、电机驱动和负载切换等领域。其设计采用了先进的工艺技术，具备低导通电阻、快速开关特性和高可靠性等优势。这种 MOSFET 能够在高频应用中提供卓越的性能表现，同时支持多种工业级和消费级应用需求。
作为 N 沟道增强型 MOSFET，GMC04CG180J25NT 的工作电压范围广泛，适用于多种电路设计场景。它具有出色的热性能，能够在较宽的工作温度范围内保持稳定的电气特性。
型号：GMC04CG180J25NT
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源极击穿电压：180V
连续漏极电流：25A
导通电阻：3.5mΩ（典型值，在 Vgs=10V 时）
栅极电荷：75nC（最大值）
开关速度：快速
封装形式：TO-247
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
GMC04CG180J25NT 具备以下显著特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），能够减少功率损耗，提高系统效率。
2. 快速的开关速度，适用于高频开关应用，如 DC-DC 转换器和 PFC 电路。
3. 高雪崩能量能力，增强了器件在异常条件下的鲁棒性。
4. 内置 ESD 保护功能，提升了器件的抗静电能力。
5. 宽泛的工作温度范围，确保了其在极端环境下的可靠运行。
6. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。
GMC04CG180J25NT 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的功率开关元件。
2. 电机驱动电路，用于控制直流或无刷电机。
3. 电动汽车及混合动力汽车中的逆变器模块。
4. 工业自动化设备中的负载切换和保护。
5. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统的功率转换模块。
6. 高效 DC-DC 转换器和功率因数校正（PFC）电路。
7. 各种需要高性能功率开关的应用场景。
GMC04CG180J25NL, IRF1802ZPBF, FDP18N18S
