时间：2025/5/29 9:50:58
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GMC04CG121J25NT 是一款由知名厂商推出的功率 MOSFET 芯片，主要应用于高效能电源转换、电机驱动和负载开关等场景。该芯片采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度以及优异的热性能，能够满足现代电子设备对效率和可靠性的严格要求。
这款 MOSFET 属于 N 沟道增强型器件，适合在高频开关应用中使用，同时支持较宽的工作电压范围。凭借其出色的电气特性和封装设计，GMC04CG121J25NT 广泛用于消费电子、工业控制和通信设备等领域。
类型：N沟道增强型 MOSFET
最大漏源电压(Vds)：120V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：25A
导通电阻(Rds(on))：4mΩ
栅极电荷(Qg)：65nC
输入电容(Ciss)：1800pF
工作温度范围(Tj)：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-247
1. 极低的导通电阻 Rds(on)，可有效降低传导损耗，提升系统效率。
2. 高速开关性能，支持高频工作环境，减少电磁干扰(EMI)问题。
3. 强大的散热能力，适用于高功率密度的应用场合。
4. 具备出色的雪崩能力和抗静电性能(ESD)，提高系统的可靠性和稳定性。
5. 符合 RoHS 标准，环保且易于集成到各种电路设计中。
6. 宽工作电压范围和大电流承载能力，确保在复杂负载条件下的稳定运行。
1. 开关电源(SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率开关。
2. 电机驱动和逆变器应用中的功率级元件。
3. 高效负载开关和保护电路设计。
4. 工业自动化设备中的电源管理模块。
5. 通信基站和服务器电源中的关键组件。
6. 电动汽车(EV) 和混合动力汽车(HEV) 的电池管理系统(BMS)。
GMC04CG121K25NT, IRFZ44N, FDP5570N
