时间：2025/5/15 14:16:20
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GMC04CG120G50NT 是一款基于硅基材料的高压 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于功率转换和电机驱动领域。该器件采用了先进的制造工艺，具备高效率、低导通电阻和快速开关特性，适合于需要高性能功率管理的应用场景。
该型号属于沟槽型 MOSFET 系列，其设计优化了动态性能和静态性能之间的平衡，从而满足各种复杂工况下的需求。此外，该器件还具有出色的热稳定性和可靠性，能够在恶劣的工作环境下长期运行。
最大漏源电压：120V
连续漏极电流：50A
导通电阻：4mΩ（典型值，@ Vgs=10V）
栅极电荷：75nC（典型值）
输入电容：3500pF（典型值）
开关速度：快速
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少传导损耗，提升整体系统效率。
2. 快速的开关速度和较低的栅极电荷，能够降低开关损耗，并支持高频操作。
3. 内置 ESD 保护功能，增强器件的抗静电能力。
4. 良好的热性能，确保在高功率应用中的稳定性。
5. 高雪崩能量能力，提高系统的可靠性和鲁棒性。
6. 符合 RoHS 标准，环保且易于集成到现代电子设计中。
1. 开关电源（SMPS）
2. DC-DC 转换器
3. 电机驱动与控制
4. 逆变器
5. 充电器
6. 工业自动化设备
7. 汽车电子系统
8. 可再生能源相关设备（如太阳能微逆变器）
GMC04CG120G40NT
GMC04DG120G50NT
IRFZ44N
FDP5512
IXFN120N04T2
