时间：2025/5/12 18:31:06
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GMC04CG111F50NT是一款高性能的功率MOSFET芯片，主要用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等应用领域。该器件采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻和高开关速度的特点，能够显著提高系统的效率和性能。
该芯片属于N沟道增强型MOSFET，适合于中高电压应用场景，其出色的热特性和可靠性使其成为许多工业和消费电子产品的理想选择。
最大漏源电压：50V
连续漏极电流：28A
导通电阻：4.5mΩ
栅极电荷：65nC
开关时间：开启延迟时间 12ns，关断下降时间 23ns
工作温度范围：-55℃ 至 175℃
1. 极低的导通电阻，有助于减少传导损耗，提高系统效率。
2. 快速的开关速度，可支持高频操作，降低开关损耗。
3. 高电流处理能力，适用于大功率应用。
4. 良好的热稳定性和可靠性，确保在极端环境下的正常运行。
5. 小尺寸封装，节省PCB空间，便于设计紧凑型产品。
6. 具备强大的抗静电能力和鲁棒性，提升器件的耐用性。
1. 开关电源（SMPS）
2. DC-DC转换器
3. 电机驱动电路
4. 电池管理系统（BMS）
5. 工业自动化控制
6. 消费类电子产品中的负载开关
GMC04CG111F50NP, IRFZ44N, FDP55N50
