时间：2025/6/10 11:38:47
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GMC04CG101F200NT 是一款高性能的功率MOSFET芯片，采用先进的沟槽式结构设计，适用于高频开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和负载切换等应用。该器件具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能，能够显著提升系统的效率与可靠性。
这款功率MOSFET的工作电压高达200V，适合中高压应用场景，并且其封装形式支持高效的散热管理，确保在高功率条件下的稳定运行。
最大漏源电压：200V
连续漏极电流：4.6A
导通电阻（典型值）：95mΩ
栅极电荷：13nC
开关频率：最高可达500kHz
工作温度范围：-55℃至175℃
GMC04CG101F200NT 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻，有助于减少导通损耗并提高系统效率。
2. 高速开关能力，使得该器件非常适合高频应用。
3. 出色的热稳定性，能够适应极端温度环境。
4. 内置ESD保护功能，提高了器件的鲁棒性。
5. 符合RoHS标准，环保无铅设计。
6. 小型化的封装设计，便于PCB布局和节省空间。
GMC04CG101F200NT 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）
2. DC-DC转换器
3. 电机驱动控制
4. 汽车电子系统
5. 工业自动化设备
6. LED驱动器
7. 负载切换和保护电路
该器件因其卓越的性能表现，在需要高效率和可靠性的应用中备受青睐。
GMC04CG101F200N, IRF840, STP16NF20
