时间：2025/6/22 3:05:27
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GMC02CG3R3C25NT是一款基于氮化镓（GaN）技术的功率晶体管，适用于高频和高效率的电力电子应用。该器件采用增强型场效应晶体管（eGaN FET）设计，具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能。它广泛应用于电源适配器、充电器、DC-DC转换器以及电机驱动等场景。
额定电压：650V
额定电流：18A
导通电阻：35mΩ
栅极电荷：70nC
输入电容：1200pF
反向恢复时间：无（由于是GaN器件，不存在反向恢复问题）
工作温度范围：-55℃至+150℃
GMC02CG3R3C25NT采用了先进的GaN技术，具备以下特点：
1. 极低的导通电阻和栅极电荷，能够显著降低导通损耗和开关损耗。
2. 高频率操作能力，支持MHz级别的开关频率，从而减小磁性元件的体积和重量。
3. 内置ESD保护电路，提高了器件的可靠性和抗干扰能力。
4. 小尺寸封装（如TO-252或DFN），有助于实现更高的功率密度。
5. 具备出色的热稳定性和耐用性，能够在高温环境下长期运行。
该芯片主要应用于需要高效率和高功率密度的场景，包括但不限于：
1. USB-PD快充适配器
2. 数据中心电源模块
3. 汽车电子中的DC-DC转换器
4. 工业设备中的开关电源
5. 无线充电系统
6. LED驱动电源
GMC02CG3R3C25NT凭借其优异的性能表现，在现代电力电子设计中扮演了重要角色。
GMC02CG3R3C30NT, GMC02CG3R3C20NT
