GMC02CG330F50NT 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,适用于高效率、高频开关应用。该芯片采用先进的沟槽式 MOSFET 技术制造,具备低导通电阻和快速开关特性,适合用于电源管理、DC-DC 转换器、电机驱动等领域。
这款器件具有强大的耐热性能以及出色的电气稳定性,能够满足多种工业和消费类电子设备的需求。
型号:GMC02CG330F50NT
类型:N-Channel MOSFET
VDS(漏源电压):330V
RDS(on)(导通电阻):50mΩ
ID(连续漏极电流):24A
Qg(栅极电荷):28nC
fsw(最大工作频率):100kHz
Ptot(总功耗):200W
封装:TO-247
GMC02CG330F50NT 的主要特性包括以下几点:
1. 高击穿电压:高达 330V 的 VDS 确保了其在高压环境下的稳定运行。
2. 极低的导通电阻:仅为 50mΩ 的 RDS(on) 减少了传导损耗,提升了整体效率。
3. 快速开关能力:较低的 Qg 和 Coss 参数使其能够实现快速开关操作,降低开关损耗。
4. 强大的散热性能:采用 TO-247 封装,支持高效的热量散发。
5. 高可靠性:经过严格的工艺控制与测试流程,确保产品能够在极端条件下长期可靠工作。
6. 广泛的工作温度范围:从 -55°C 到 +175°C 的结温范围增强了其适应性。
GMC02CG330F50NT 可广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS):适用于各种类型的 DC-DC 转换器和 AC-DC 适配器。
2. 电机驱动:可作为高效逆变器中的关键元件,用于驱动各类电机。
3. 工业自动化:在工业控制系统中,可用于负载切换和保护。
4. 新能源领域:例如太阳能逆变器、电动汽车充电系统等需要高效能量转换的应用。
5. LED 驱动:为大功率 LED 提供稳定的电流输出。
GMC02CG330F40NT, IRFP260N, STP36NF30L