时间：2025/6/24 10:55:34
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GMC02CG2R0C50NT 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高电子迁移率晶体管（HEMT），适用于高频和高效率应用。它具有低导通电阻、快速开关速度以及高击穿电压等特性，非常适合用于电源管理、射频放大器及高速开关电路中。
该型号中的具体参数和设计使其成为高性能功率转换和高频通信领域的理想选择。
最大漏源电压：600V
连续漏极电流：30A
导通电阻：2.0mΩ
栅极电荷：80nC
反向恢复时间：10ns
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
GMC02CG2R0C50NT 拥有卓越的电气性能，主要特性包括：
1. 高击穿电压确保了在高压环境下的稳定运行。
2. 极低的导通电阻有助于减少传导损耗并提高整体效率。
3. 快速的开关速度使得其能够适应高频应用需求。
4. 高温工作能力保证了器件在恶劣环境中的可靠性。
5. 氮化镓材料的应用带来了更高的功率密度与更小的尺寸，适合紧凑型设计。
这款 GaN HEMT 被广泛应用于以下领域：
1. 高效 DC-DC 转换器和逆变器。
2. 射频功率放大器，例如无线基站和雷达系统。
3. 高频开关电源。
4. 新能源汽车中的车载充电器和电机驱动器。
5. 工业自动化设备中的高效功率管理模块。
由于其高效率和高频率特性，它还特别适合于需要快速动态响应的场景。
GMC02CG1R5C50NT, GMC02CG2R5C50NT
