时间：2025/6/20 12:26:48
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GMC02CG200J25NT 是一款基于碳化硅 (SiC) 技术的功率 MOSFET 芯片，适用于高效率、高频开关的应用场景。该芯片具有低导通电阻和快速开关速度的特点，能够在高温和高压环境下保持稳定性能。其主要应用领域包括电动汽车充电设备、光伏逆变器、工业电源和电机驱动等。
最大漏源电压：1200V
连续漏极电流：200A
导通电阻：1.2mΩ
栅极电荷：90nC
开关频率：100kHz
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
1. 高耐压能力，支持高达1200V的工作电压。
2. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于降低传导损耗并提高系统效率。
3. 快速开关性能，能够有效减少开关损耗，提升整体效率。
4. 宽广的工作温度范围，适合极端环境下的使用。
5. 碳化硅技术的应用显著提升了器件的热性能和可靠性。
6. 具备良好的抗电磁干扰能力和耐用性。
1. 电动汽车充电桩中的高频DC-DC转换模块。
2. 光伏逆变器的核心功率转换组件。
3. 工业级大功率电源和不间断电源（UPS）设计。
4. 大功率电机驱动和伺服控制电路。
5. 高效能量存储系统的功率管理模块。
GMC02CG200J20NT, GMC02CG150J25NT
