时间：2025/6/17 4:43:41
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GMC02CG180J25NT 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，主要用于高频开关和功率转换应用。该芯片采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能。适用于电源管理、DC-DC 转换器、电机驱动以及各种工业电子设备。
型号：GMC02CG180J25NT
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压（Vds）：180V
最大栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：25A
导通电阻（Rds(on)）：4.5mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
总功耗：160W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-247-3
栅极电荷（Qg）：90nC（典型值）
GMC02CG180J25NT 具有非常低的导通电阻 Rds(on)，这使得其在高电流应用场景中具备更高的效率和更低的功率损耗。
该器件的快速开关能力使其非常适合高频开关应用，并能有效减少开关损耗。
MOSFET 的热稳定性强，能够在较宽的工作温度范围内保持稳定性能。
此外，该芯片还拥有较高的雪崩击穿能力和稳健的短路耐受能力，进一步增强了其可靠性。
GMC02CG180J25NT 广泛应用于各种电力电子系统，包括但不限于以下领域：
- 开关模式电源 (SMPS)
- DC-DC 转换器
- 电机驱动与控制
- 工业逆变器
- 太阳能微逆变器
- 电动车辆牵引逆变器
- 不间断电源 (UPS) 系统
- PFC（功率因数校正）电路
由于其出色的电气性能和耐用性，它成为需要高效功率转换场合的理想选择。
GMC02CG180J25LT, STP25NF18
