型号：GM8205A
　　封装形式：SOP-8 / DFN-8
　　极性：双N沟道MOSFET
　　漏源电压(VDS)：30V
　　栅源电压(VGS)：±20V
　　连续漏极电流(ID)：5A（@Ta=25℃）
　　脉冲漏极电流(IDM)：15A
　　导通电阻(RDS(on))：24mΩ（@VGS=10V，每通道）
　　阈值电压(Vth)：1.0V~2.5V
　　工作温度范围：-40℃ ~ +85℃
　　存储温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　功率耗散(Pd)：1.5W

GM8205A的核心优势在于其高度集成的双MOSFET结构与优异的电气性能。该器件内部包含两个独立但参数一致的N沟道MOSFET，每个MOSFET具有低至24mΩ的导通电阻（RDS(on)），在实际应用中可显著降低充放电过程中的能量损耗，减少发热，提高系统效率。这种低导通电阻特性对于大电流工作的便携式设备尤为重要，能够有效延长电池续航时间并提升整体能效表现。此外，由于其最大漏源电压为30V，远高于单节锂电池的最高充电电压（约4.2V～4.35V），因此在正常工作条件下具备充足的安全裕量，增强了系统的可靠性和稳定性。
　　GM8205A采用SOP-8或DFN-8小型封装，不仅节省PCB空间，还具备较好的散热能力，尤其DFN-8封装具有更低的热阻，适用于对空间和散热要求较高的紧凑型产品设计。该器件的栅极驱动电压兼容常见锂电池保护IC的输出电平，通常在10V左右即可实现完全导通，便于与各种保护芯片协同工作。其阈值电压范围为1.0V至2.5V，确保在不同工作状态下能够稳定开启或关断，避免误动作。
　　在电池保护应用中，GM8205A通常与一个专用的锂电池保护IC搭配使用。当保护IC检测到过充电压时，会切断充电MOSFET；当检测到过放电压时，则关闭放电MOSFET。通过将两个MOSFET背对背连接，可以有效阻断反向电流路径，防止电池在异常状态下继续充放电。此外，该器件具备较强的抗瞬态冲击能力，能够承受短时的大电流脉冲（最高达15A），适用于启动电流较大的负载场景。整体而言，GM8205A以其高可靠性、小体积和高性能成为锂电池管理系统中的关键组件之一。

GM8205A主要应用于单节锂电池的保护电路模块中，广泛服务于各类便携式电子设备。最常见的应用场景是与锂电池保护IC（如DW01A、S-8261、HY211X系列等）组合，构成完整的电池保护解决方案，用于防止电池发生过充电、过放电、过电流及短路等危险情况。在蓝牙耳机、智能手环、TWS耳机、电子烟、小型无人机等低功耗消费类电子产品中，GM8205A因其小封装和高效能特点而被广泛采用。同时，在移动电源（充电宝）、小型电动工具、LED照明设备以及可穿戴设备中也常见其身影。
　　在实际电路设计中，GM8205A的两个MOSFET分别用于控制充电和放电回路。当电池电压超过设定上限时，保护IC会拉低充电控制端，使对应MOSFET关断，阻止外部电源继续充电；当电池电压低于下限时，保护IC则关断放电MOSFET，切断负载供电以保护电池不被过度放电。在此过程中，GM8205A作为执行开关元件，承担着大电流通断的任务，因此其导通电阻和热稳定性直接影响整个保护电路的效率与安全性。
　　此外，由于GM8205A具备良好的ESD防护能力和稳定的制造工艺，适合自动化贴片生产，因此在大批量电子产品制造中具有很高的适用性。它还可用于需要双MOSFET开关的其他低压直流电源管理系统中，例如电池切换电路、负载开关模块或电源路径管理单元，展现出较强的通用性和扩展性。

AO8810
　　8205A
　　RT8205A
　　Si2305
　　AP2805