类型：静态随机存取存储器（SRAM）
　　容量：256Kbit (32K x 8)
　　电源电压：2.3V - 3.6V
　　访问时间：10ns
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装形式：52-TSOP
　　引脚数：52
　　数据总线宽度：8位
　　封装类型：工业级标准封装
　　封装尺寸：约18.4mm x 12.0mm
　　接口类型：并行接口
　　封装材料：塑料

GM76V256CLLFW-10DR 是一款面向高性能嵌入式系统的高速SRAM芯片。该芯片采用了先进的CMOS工艺，具有极低的静态电流和出色的抗干扰能力，适用于长时间运行的高可靠性应用场景。其10ns的访问时间确保了快速的数据读写能力，使得该芯片非常适合用于缓存、图像处理、通信协议缓存等需要快速响应的场合。
　　该SRAM芯片支持异步操作模式，无需外部时钟信号，简化了系统设计。此外，该芯片具备自动低功耗待机模式，在没有访问操作时，能够显著降低功耗，适用于电池供电或对功耗敏感的设备。
　　在电气特性方面，GM76V256CLLFW-10DR 支持宽电压范围（2.3V至3.6V），确保在不同电源条件下稳定工作。其输入/输出引脚均具备抗静电保护（ESD）功能，提高了器件在恶劣工业环境下的可靠性。
　　封装方面，该芯片采用52引脚TSOP封装形式，具有良好的热稳定性和空间利用率，适合高密度PCB布局设计。

该SRAM芯片广泛应用于工业控制、网络设备、通信模块、医疗仪器、测试设备、视频处理系统、嵌入式控制器以及需要高速数据缓冲的场合。由于其宽温特性和高稳定性，也常用于汽车电子、航空航天和军事设备中。

CY7C1041CV33-10ZSXI, IS61LV25616-10B4I, IDT71V416S10PFGI