存储容量：128K x 8位
　　电源电压：2.3V 至 3.6V
　　最大访问时间：85ns
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：TSOP
　　引脚数：54
　　接口类型：并行
　　读写操作：异步
　　功耗：典型值为100mA（待机模式下电流小于10μA）
　　数据保持电压：1.5V

GM76C8128CLLFW-85 采用高性能CMOS工艺制造，具备高速访问能力和低功耗特性。该芯片的最大访问时间为85ns，适用于对响应时间要求较高的系统设计。其供电电压范围为2.3V至3.6V，允许在不同电源条件下稳定工作。此外，该芯片支持宽温工作范围（-40°C至+85°C），适合在各种环境温度下使用。
　　芯片提供异步接口，简化了与主控设备的连接。在待机模式下，芯片的电流消耗极低，通常小于10μA，有助于降低系统整体功耗。此外，该芯片还具备数据保持功能，在电源电压降至1.5V时仍可保持存储数据不丢失，确保关键数据的安全性。
　　该SRAM芯片采用了高可靠性的设计，具备优异的抗干扰能力和稳定性，适合在工业控制、通信设备、消费电子和汽车电子等多种应用环境中使用。TSOP封装形式不仅节省空间，而且具备良好的热管理和电气性能，便于自动化生产和大批量应用。

GM76C8128CLLFW-85 适用于多种需要高速、低功耗SRAM的场景，包括但不限于：
　　? 工业控制系统中的缓存和临时数据存储
　　? 网络通信设备如路由器、交换机的数据缓冲
　　? 消费类电子产品如智能家电、便携式设备的内存扩展
　　? 汽车电子系统中的数据存储和实时处理模块
　　? 医疗仪器中的高速数据采集和处理系统
　　? 安全监控设备中的图像缓存单元
　　? 自动化测试设备（ATE）中的临时数据存储器

ISSI IS62WV1288GLBLL-55BLY5, Cypress CY62148E