GM76C256LLFW70是一款由Giantec Semiconductor生产的CMOS静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该器件具有256Kbit的存储容量,组织形式为32K x 8位。该SRAM芯片采用先进的CMOS技术制造,具有高速存取、低功耗和高可靠性的特点,适用于需要高速数据存储和访问的各类电子系统。
容量:256Kbit
组织方式:32K x 8
电源电压:2.3V ~ 3.6V
访问时间:70ns
工作温度范围:-40°C ~ +85°C
封装类型:TSOP
引脚数:54
读电流(最大):180mA
待机电流(最大):10mA
GM76C256LLFW70 SRAM芯片具备多项优良特性。其高速访问时间为70ns,适用于需要快速数据读写的应用场景。工作电压范围为2.3V至3.6V,支持宽电压操作,增强了系统的兼容性和稳定性。该芯片采用CMOS技术,具有较低的功耗,在待机模式下电流最大仅为10mA,适合低功耗设计需求。此外,该芯片的TSOP封装形式有助于节省PCB空间并提升高频操作下的稳定性。在工业级温度范围-40°C至+85°C内能够稳定工作,适用于各种严苛环境条件下的应用。
该器件还具备良好的抗干扰能力,输入/输出接口兼容标准TTL逻辑电平,便于与多种主控芯片进行连接。其数据保持能力在掉电情况下可通过外部电源维持,适用于需要临时数据存储的场景。
GM76C256LLFW70 SRAM芯片广泛应用于工业控制设备、通信模块、网络设备、嵌入式系统、智能卡终端、测量仪器、汽车电子等领域。例如,在工业自动化设备中作为高速缓存存储实时数据;在通信系统中用于数据缓冲和临时存储;在网络设备中作为路由器或交换机的数据缓存;在嵌入式系统中作为主控芯片的扩展内存等。其宽电压和宽温特性使其特别适合于户外或工业环境下的应用。
ISSI IS62WV2568GLBLL-70NLI、Microchip 23K256-IPT、ON Semiconductor MCM20P256LLLWBG70