容量：256Kbit
　　组织结构：8K x 32位
　　电源电压：2.3V ~ 3.6V
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C
　　封装类型：TSOP
　　访问时间：5.5ns
　　最大工作频率：约180MHz
　　输入/输出接口：三态CMOS
　　封装引脚数：54
　　封装尺寸：约18.4mm x 12.4mm

GM76C256CLLT55E作为一款高性能SRAM芯片，具有多项显著的技术优势。其高速访问时间达到5.5ns，支持高达180MHz的工作频率，能够满足对数据存取速度要求较高的应用需求。芯片采用低功耗CMOS工艺，在保持高速性能的同时实现了良好的功耗控制，典型工作电流低于100mA，待机电流极低，有助于延长设备电池寿命。
　　该芯片具有宽电压工作范围（2.3V至3.6V），增强了对不同电源条件的适应能力，适用于多种电源设计方案。其工作温度范围覆盖-40°C至+85°C，确保在恶劣工业环境中仍能稳定运行。封装采用54引脚TSOP形式，尺寸小巧，便于在高密度PCB设计中使用。
　　GM76C256CLLT55E还具备三态输出控制功能，允许直接连接到总线系统而不需额外的隔离逻辑，简化了电路设计。此外，芯片内部集成写保护功能，可防止在电源不稳定时发生意外写入操作，从而提高数据完整性。

该芯片广泛应用于需要高速、低功耗存储的嵌入式系统中。典型应用包括网络交换机和路由器的缓存存储、工业控制系统的高速数据缓冲、通信设备的数据暂存、图像处理设备中的帧缓存，以及高端消费类电子产品中的临时数据存储。由于其宽温范围和高可靠性，也适用于汽车电子系统和户外通信设备。

IS61LV256AL-5T, CY62148EVLL-55ZSXI, IDT71V416SA55PI, A2VDD25612LLT55E