时间：2025/9/1 21:19:18
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GM76C256CLLT55是一款高速静态随机存取存储器（SRAM）芯片，容量为256Kbit，组织方式为32K x 8。该芯片采用先进的CMOS工艺制造，具有低功耗、高速访问和高可靠性等特点。适用于需要快速数据存取的应用场景，如嵌入式系统、工业控制设备和网络通信设备。
容量：256Kbit
组织结构：32K x 8
电源电压：3.3V
访问时间：55ns
封装类型：TSOP
工作温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
接口类型：并行
功耗（典型值）：约100mA
数据保持电压：2.0V至3.6V
GM76C256CLLT55 SRAM芯片具有多项出色的性能特点。其高速访问时间为55纳秒，能够满足实时系统对数据存取速度的要求。采用CMOS工艺制造，不仅降低了静态功耗，还提高了抗干扰能力和稳定性。该芯片支持宽电压工作范围，适用于不同电源条件下的应用环境。TSOP封装设计节省了电路板空间，并便于自动化生产和安装。此外，该芯片具有良好的数据保持能力，在低至2.0V的电压下仍能保持存储数据不丢失，适用于需要低电压数据保持的系统设计。工业级的工作温度范围使其能够在严苛的环境条件下稳定运行。
GM76C256CLLT55 SRAM芯片广泛应用于嵌入式系统、工业控制设备、网络通信设备、测试仪器以及需要快速数据缓存的场合。其高速访问和低功耗特性使其成为高性能嵌入式系统的理想选择。
IS62C256ALBTA55N1I、CY62148EVBLLX1、AS6C256RLLN55N2BQFT
