容量：256K位（32K x 8）
　　组织方式：x8
　　电源电压：3.3V
　　访问时间：70ns
　　工作温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
　　封装形式：TSOP
　　引脚数量：54
　　读取电流（最大）：200mA
　　待机电流：10mA

GM76C256CLLET-70 SRAM芯片具有多项优异的性能特点。首先，它采用了高速CMOS工艺，使得访问时间低至70ns，能够满足高速数据读写的需求。该器件的工作电压为3.3V，具有较低的功耗特性，适合对能耗敏感的应用场景。在待机模式下，其电流消耗仅10mA，进一步延长了系统的电池寿命。
　　其次，该SRAM具有宽广的工作温度范围，支持-40°C至+85°C的工业级温度范围，能够在极端环境下稳定工作，适用于工业控制、车载设备等复杂环境。此外，GM76C256CLLET-70采用54引脚TSOP封装，便于PCB布局和焊接，提高了产品的可靠性与可制造性。
　　在数据保持方面，该SRAM无需刷新操作，数据在供电状态下可长期保持，提升了系统的稳定性和响应速度。同时，该器件具备良好的抗干扰能力和稳定性，适用于高噪声环境下的数据存储应用。

GM76C256CLLET-70广泛应用于多个高性能嵌入式系统领域。在通信设备中，如路由器、交换机和无线基站，该SRAM可用于高速缓存或临时数据存储，提升数据传输效率。在工业控制领域，该芯片可用于PLC控制器、数据采集系统等设备中，作为高速数据缓存单元。
　　此外，该SRAM还可用于汽车电子系统，如车载导航、车载信息娱乐系统等，满足汽车环境下的高可靠性和宽温工作需求。医疗设备中，如超声设备、心电监护仪等，该芯片也可用于临时数据存储，确保数据采集和处理的实时性。
　　在测试测量仪器、自动化设备、智能仪表等领域，GM76C256CLLET-70也能发挥其高速、低功耗和稳定性的优势，提升整体系统的性能。

IS62LV256AL-70TLI、CY62148EALZ-70SXI、IDT71V433SA70B、AS6C256A-70SQN、MCM62163BP70B